投稿指南 中国光学在线通告:

ASML利用EUV曝光设备完成32nm分辨成像

2007-03-14 05:53:20 来源:日经BP社作者: 【大中小】评论：0 条

　　荷兰ASML公司利用面向工艺技术开发的EUV（超紫外线）曝光设备“Alpha Demo Tool”，完成了线宽与线间隔均为32nm的分辨成像以及32nm的密集接触孔(Contact hole)分辨成像（发布资料）。该公司在美国加利福尼亚州圣诺塞市举办的“SPIE Advanced Lithography 2007”上发表了上述成果。

　　Alpha Demo Tool是一种在量产工艺中使用的能够进行全区域(Full-field)曝光的EUV曝光设备。ASML在一年前的2006年2月举办的 “Microlithography 2006”上发表了利用该设备实现40nm线宽与线间隔图像及60nm微孔成像的结果。该公司已于2006年8月向比利时IMEC和美国Albany NanoTech公司交付该设备。另外，该公司表示现已获得3台试制用EUV设备的订单, 预定2009年交货。（记者：大西顺雄）

0 顶一下

返回首页

Tags：

责任编辑：

上一篇：日本成功研发出最快激光刻录技术(�

下一篇：欧洲测试中心将重点研究薄膜太阳能

重庆光纤传感技术取得突破

日本开发超强激光技术输出功率提高1000多

评论总数：0 条 [ 查看全部 ] 网友评论

中国光学在线|中国光学网 - 集光电技术、资讯、交流社区为一体的行业网络平台

ASML利用EUV曝光设备完成32nm分辨成像

Tags：